Pengertian flashdisk
Flash
Memory adalah media penyimpanan yang berjenis “non-volatile” yang berarti tidak
memerlukan power untuk menjaga keberadaan data. Flash Memori hampir sama dengan
EEPROMC (Electrically Erasable Programmable ROM) Kapasitas memorinya pun
beragam, mempunyai kemampuan transfer data untuk penulisan mencapai 88 Mbps
sedangkan untuk pembacaan mencapai 5 Mbps. Para ilmuan membuatnya menjadi
sistem penyimpan data portabel, mirip disket, maka sering disebut Flash Disk.
Flash
Disk adalah media penyimpan dari floppy driveB jenis lain yang umumnya
mempunyai kapasitas memori 128 MB s/d 64 GB, dengan menggunakan interface jenis
USBC (Universal Serial Bus), sangat praktis dan ringan dengan ukuran berkisar
96 x 32 mm dan pada bagian belakang bentuknya agak menjurus keluar, digunakan
untuk tempat penyimpanan baterai jenis AAA dan LCD (Untuk Fitur MP3, Voice
Recording dan FM Tuner) dan terdapat port USB yang disediakan penutupnya yang
berbentuk sama dengan body utamanya.
Flashdisk
biasanya menggunakan struktur NAND Flash MemoryChip memori flash NAND mempunyai
dua tingkat struktur hirarkis. Pada tingkat terendah, bit disusun ke dalam
halaman, biasanya masing-masing 2 KB. Pages/halaman adalah unit dari read and
write dalam NAND flash.
Dalam rangka untuk memulai sebuah operasi I/O, sebuah perintah menetapkan pages
ID dikirim ke memori flash controller, yang menetapkan waktu setup tetap
terlepas dari jumlah bit harus dibaca atau ditulis. Dengan demikian, bit
berikutnya dalam halaman yang dipilih saat ini dapat dibaca atau ditulis jauh
lebih efisien daripada bit dari halaman yang berbeda.
Tidak
seperti seperti dalam sebuah disk, kesalahan untuk memulai sebuah operasi I/O
pada halaman adalah konstan, bukan fungsi dari operasi I/O sebelumnya (tidak
ada keuntungan untuk halaman membaca secara berurutan).
Pages
dikelompokkan ke dalam struktur tingkat yang lebih tinggi yang disebut
menghapus blok, yang terdiri dari masing-masing ~64 halaman. Sementara halaman
adalah unit read dan write, erase block adalah unit penghapusan (erasure).
Seperti dijelaskan di atas, menulis ke halaman hanya dapat menghapus bit
(membuat mereka nol), tidak mengesetnya.
Apa itu NAND ?
NAND
Flash adalah salah satu arsitektur dari dua teknologi flash (yang lainnya
adalah NOR) yang digunakan dalam kartu memori seperti kartu CompactFlash. Hal
ini juga digunakan dalam USB Flash drive, MP3 player, dan menyediakan
penyimpanan gambar untuk kamera digital. NAND paling cocok untuk perangkat
flash yang membutuhkan penyimpanan data berkapasitas tinggi. Perangkat flash
NAND lebih cepat menghapus, menulis, dan kemampuan membaca lebih dari NOR,
memori flash NAND memberikan kepadatan tinggi dan relatif cepat menghapus dan
menulis. Namun, memori flash NAND tidak mengatur sendiri untuk aplikasi XIP
karena akses yang arsitektur berurutan dan panjang. Selain itu, memori flash
NAND tersedia dalam penyimpanan lebih tinggi dan pada biaya yang jauh lebih
rendah daripada NOR flash. Sifat-sifat ini, digabungkan dengan operasi
menghapus dengan kecepatan yang lebih tinggi,membuatnya lebih baik daripada NOR
flash untuk digunakan dalam perangkat mass storage, di mana bit-addressability
dari flash NOR adalah tidak ada keuntungan khusus.
Arsitektur Media Penyimpanan
Chip
memori flash NAND mempunyai dua tingkat struktur hirarkis. Pada tingkat
terendah, bit disusun ke dalam halaman, biasanya masing-masing 2 KB.
Pages/halaman adalah unit dari read and write dalam NAND flash. Dalam rangka
untuk memulai sebuah operasi I/O, sebuah perintah menetapkan pages ID dikirim
ke memori flash controller, yang menetapkan waktu setup tetap terlepas dari
jumlah bit harus dibaca atau ditulis. Dengan demikian, bit berikutnya dalam
halaman yang dipilih saat ini dapat dibaca atau ditulis jauh lebih efisien
daripada bit dari halaman yang berbeda.
Tidak
seperti seperti dalam sebuah disk, kesalahan untuk memulai sebuah operasi I/O
pada halaman adalah konstan, bukan fungsi dari operasi I/O sebelumnya (tidak
ada keuntungan untuk halaman membaca secara berurutan). Pages dikelompokkan ke
dalam struktur tingkat yang lebih tinggi yang disebut menghapus blok, yang
terdiri dari masing-masing ~64 halaman. Sementara halaman adalah unit read dan
write, erase block adalah unit penghapusan (erasure). Seperti dijelaskan di
atas, menulis ke halaman hanya dapat menghapus bit (membuat mereka nol), tidak
mengesetnya.
Sistem Kerja (proses
baca dan tulis) Media Penyimpanan
NAND
Flash memiliki protokol khusus untuk penulisan dan pembacaan data. Berbeda
dengan DRAM, NAND memory harus diakses dengan satuan diskrit. Satuan kecil
penulisan dan pembacaan data adalah page. Page yang telah terisi data tidak
bisa langsung ditumpuki dengan data baru, namun harus dihapus terlebih dahulu.
Sedangkan satuan terkecil penghapusan data adalah block, yang biasanya terdiri
dari 64 atau 128 page. Hal penting lainnya untuk media yang yang menggunakan
NAND flash adalah pengaturan ukuran baca dengan tulis yang tidak simetris. NT penulisan
ke page 8 kali lebih lambat daripada pembacaan page. Penghapusan block, yang
jarang dilakukan, tetapi termasuk bagian dari penulisan/pemrograman NAND, tujuh
kali lebih lambat bila dibandingkan dengan penulisan page. Walaupun perbedaan
waktu eksekusi yang cukup besar ini berusaha ditangani, adalah penyebab semua
media penyimpanan yang menggunakan NAND, misalkan USB drive atau solid state
drive memiliki performansi baca yang lebih baik bila dibandingkan dengan
performansi tulis.
Prinsip Penyimpanan
Data NAND Flash Memory
·
Teknologi penyimpanan yang digunakan
berupa sel yang sangat kecil berguna untuk menekan biaya agar lebih terjangkau
untuk tiap bit data yg disimpan, telah digunakan sebagai data media penyimpanan
hight-desinty untuk perangkat konsumen seperti kamera digital dan solid-state
drive USB.
·
Arsitektur media penyimpanan pada NAND
Flash Memory berawal dari penggunaan teknologi gerbang NAND dan sering
digunakan untuk USB flash drive dan berbagai jenis memory card. NAND flash
drive bersifat non-volatile, yang dapat menyimpan data meskipun tidak ada
aliran listrik, sehingga dapat digunakan sebagai hard disk drive. Gerbang NAND
flash menggunakan tunnel injection untuk menulis data dan tunnel release untuk
menghapus. NAND flash memory merupakan pembentuk media penyimpanan USB, antara
lain USB flash drive, memory card, dan berbagai macam media penyimpanan
Nintendo DS seperti N-Card.
·
Sistem kerja (proses baca dan tulis)
media penyimpanan NAND Flash Memory memiliki protokol khusus untuk penulisan
dan pembacaan data. Berbeda dengan DRAM, NAND memory harus diakses dengan
satuan diskrit. Satuan kecil penulisan dan pembacaan data adalah page. Page
yang telah terisi data tidak bisa langsung ditumpuki dengan data baru, namun
harus dihapus terlebih dahulu. Sedangkan satuan terkecil penghapusan data
adalah block, yang biasanya terdiri dari 64 atau 128 page. Hal penting lainnya
untuk media yang yang menggunakan NAND flash adalah pengaturan ukuran baca
dengan tulis yang tidak simetris.
Tabel
Waktu Eksekusi NAND Flash (SLC)
Tampak pada
tabel penulisan ke NAND flash sangat lambat dibandingkan pembacaannya.
Penulisan ke page 8 kali lebih lambat daripada pembacaan page. Penghapusan
block, yang jarang dilakukan, tetapi termasuk bagian dari penulisan /
pemrograman NAND, tujuh kali lebih lambat bila dibandingkan dengan penulisan
page. Walaupun perbedaan waktu eksekusi yang cukup besar ini berusaha
ditangani, adalah penyebab semua media penyimpanan yang menggunakan NAND,
misalkan USB drive atau solid state drive memiliki performansi baca yang lebih
baik bila dibandingkan dengan performansi tulis.
Sumber : http://ekobel13.wordpress.com/2012/10/17/cara-kerja-flash-disk-menyimpan-data/
http://dedenawuy.blogspot.com/2012/05/nand-flash-memory.html
http://alaniam.blogspot.com/2012/05/prinsip-penyimpanan-data.html
0 komentar:
Posting Komentar